首頁 > 新聞資訊 Ansys榮獲 “聯合研發4nm設計基礎架構” 和 “聯合研發3DFabric?設計解決方案” 兩大獎項
主要亮點
- Ansys多物理場簽核技術對于經典摩爾定律普及以及臺積電突破性的2.5D/3D多芯片技術至關重要
- 憑借向臺積電N4工藝技術提供晶圓代工廠認證的先進電源完整性與可靠性簽核認證工具，Ansys榮獲“聯合研發4nm設計基礎架構”獎項
- 憑借向臺積電的3D芯片堆疊與高級封裝技術綜合系列——3DFabric?，提供經過晶圓代工廠認證的熱、電源完整性和可靠性解決方案，Ansys榮獲“聯合研發3DFabric?設計解決方案”獎項
近日，Ansys 榮獲兩項臺積電2021年OIP年度最佳合作伙伴獎，分別是“聯合研發4nm設計基礎架構”和“聯合研發3DFabric?設計解決方案”獎項。年度最佳合作伙伴獎旨在表彰臺積電開放創新平臺?（OIP）生態系統合作伙伴在過去一年中對新一代設計支持所做出的杰出貢獻。Ansys和其他OIP生態系統合作伙伴的共同努力有效推動了半導體行業的創新。臺積電在其2021 OIP生態系統論壇上宣布了獲獎者，這場盛會不僅將半導體設計生態系統合作伙伴和臺積電客戶齊聚一堂，而且還為探討面向高性能計算、移動、汽車和物聯網應用等最新技術和設計解決方案提供了一個絕佳平臺。
Ansys可提供豐富的多物理場分析工具，有助于解決先進半導體制造行業所面臨的日漸顯著的問題。隨著晶體管數量和復雜性的增加，以及超低電源電壓導致安全裕量不斷減少，壓降和電遷移等傳統的驗收分析工作在3nm和N4技術中變得越來越挑戰。Ansys與臺積電就這些問題開展深入合作，Ansys RedHawk-SC?和Ansys Totem?不僅獲得臺積電最先進的3nm和N4工藝技術認證，同時也為Ansys斬獲了 “聯合研發4nm設計基礎架構” 獎項。
臺積電3DFabric技術可為業界提供具有更高集成密度的解決方案。為了實現3DFabric技術的優勢，不僅需要更大容量的分析平臺，而且還需要在設計流程中集成新的物理特性。憑借面向完整芯片-封裝熱分析的Ansys RedHawk-SC Electrothermal?研發工作，Ansys榮獲了“聯合研發3DFabric?設計解決方案”獎項。
采用ANSYS? REDHAWK-SC ELECTROTHERMAL? 對一個2.5D封裝進行熱分析，顯示了安裝在基板層上的兩個芯片的溫度分布和機械翹曲情況
臺積電設計基礎架構管理事業部副總裁Suk Lee表示：“恭喜Ansys成為2021年臺積電OIP年度最佳合作伙伴獎得主。我們雙方持續合作和努力不僅讓Ansys走在技術發展趨勢的最前沿，而且讓我們的客戶能夠充分利用臺積電先進技術在功耗、性能和尺寸方面的大幅改進，從而加速其差異化產品的創新。”
Ansys副總裁兼電子與半導體事業部總經理John Lee指出：“在整個半導體行業，臺積電是眾多技術開發者中的佼佼者，與臺積電的密切合作一直是我們簽核技術產品獲得成功的關鍵因素。得益于此次的密切合作，我們雙方客戶都能夠在行業最具挑戰性的先進單芯片和多芯片設計項目中信心十足地使用Ansys工具。”
OIP年度合作伙伴獎旨在表彰在設計、研發和技術實現方面不遺余力達到最高標準的合作伙伴公司，Ansys將繼續與臺積電合作支持新一代設計。近期，Norman Chang等人在今年的臺積電OIP生態系統論壇上聯合發表了一篇關于3DFabric設計熱分析的論文：《高級3DIC系統的綜合分層熱解決方案》。
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